低氢碳比合成气后处理过程防止积碳产生的方法及装置2025
- 申请专利号:CN202311717980.2
- 公开(公告)日:2025-07-11
- 公开(公告)号:CN117865064A
- 申请人:中化学科学技术研究有限公司|||中国成达工程有限公司|||中国石油大学(北京)
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865064 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202311717980.2 F28D 21/00 (2006.01) B01F 23/10 (2022.01) (22)申请日 2023.12.13 B01F 25/31 (2022.01) (71)申请人 中化学科学技术研究有限公司 地址 102488 北京市房山区窦店镇交道西 街1号院4号楼B座 申请人 中国成达工程有限公司 中国石油大学(北京) (72)发明人 赵海龙 李晨佳 周芳 刘鹏翔 朱艳茹 邓兆敬 雷勇 张小明 (74)专利代理机构 北京知元同创知识产权代理 事务所(普通合伙) 11535 专利代理师 吕少楠 (51)Int.Cl. C01B 3/32 (2006.01) C01B 3/34 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 低氢碳比合成气后处理过程防止积碳产生 的方法及装置 (57)摘要 本发明公开了一种低氢碳比合成气后处理 过程防止积碳产生的方法及装置。该方法包括如 下步骤:来自重整装置反应器出口的低氢碳比合
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