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低氢碳比合成气后处理过程防止积碳产生的方法及装置2025

2024-04-16 07:19:06 发布于四川 3
  • 申请专利号:CN202311717980.2
  • 公开(公告)日:2025-07-11
  • 公开(公告)号:CN117865064A
  • 申请人:中化学科学技术研究有限公司|||中国成达工程有限公司|||中国石油大学(北京)
摘要:本发明公开了一种低氢碳比合成气后处理过程防止积碳产生的方法及装置。该方法包括如下步骤:来自重整装置反应器出口的低氢碳比合成气在蒸汽混合装置中与循环气、蒸汽进行混合,所述循环气来自降温脱水后的合成产品气。该方法大大降低了低氢碳比合成气在后续设备、管路中的积碳倾向,可以延长装置连续运行时间,提高装置经济效益,同时最大限度的阻断了设备、管路的金属粉末化腐蚀,降低了装置安全隐患。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865064 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202311717980.2 F28D 21/00 (2006.01) B01F 23/10 (2022.01) (22)申请日 2023.12.13 B01F 25/31 (2022.01) (71)申请人 中化学科学技术研究有限公司 地址 102488 北京市房山区窦店镇交道西 街1号院4号楼B座 申请人 中国成达工程有限公司  中国石油大学(北京) (72)发明人 赵海龙 李晨佳 周芳 刘鹏翔  朱艳茹 邓兆敬 雷勇 张小明  (74)专利代理机构 北京知元同创知识产权代理 事务所(普通合伙) 11535 专利代理师 吕少楠 (51)Int.Cl. C01B 3/32 (2006.01) C01B 3/34 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 低氢碳比合成气后处理过程防止积碳产生 的方法及装置 (57)摘要 本发明公开了一种低氢碳比合成气后处理 过程防止积碳产生的方法及装置。该方法包括如 下步骤:来自重整装置反应器出口的低氢碳比合

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