一种硅基微流道基板制备方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113479841 A (43)申请公布日 2021.10.08 (21)申请号 202110563714.3 B01L 3/00 (2006.01) (22)申请日 2021.05.24 (71)申请人 中国电子科技集团公司第五十五研 究所 地址 210016 江苏省南京市秦淮区中山东 路524号 (72)发明人 禹淼　吴杰　王政焱　王勇光　 刘欣　李杰　陈聪　朱健　 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 代理人 曹芸 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种硅基微流道基板制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种硅基微流道基板制备方 法，属于微电子技术领域。该基板制备方法包括： 步骤1.在硅表面光刻、干法刻蚀形成多条平行沟 槽，去除表面光刻胶；步骤2.表面沉积金属粘附 层和铜种子层，喷胶光刻、湿法腐蚀沟槽底部金 属粘附层和铜种子层；步骤3.采用二氟化氙干法 刻蚀平行微流道，去除光刻胶；步骤4.电镀铜填 充沟槽，并完成表面电镀金属铜平坦化；步骤5. 表面光刻冷却液接口，腐蚀铜金属和金属粘附 层，干法刻蚀