一种超声换能器阵列与CMOS电路的集成结构及制造方法2023

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117225676 A (43)申请公布日 2023.12.15 (21)申请号 202311508088.3 (22)申请日 2023.11.14 (71)申请人 南京声息芯影科技有限公司 地址 210000 江苏省南京市江北新区研创 园团结路99号孵鹰大厦2081室 (72)发明人 李晖　尹峰　 (74)专利代理机构 北京德崇智捷知识产权代理 有限公司 11467 专利代理师 王斌 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 一种超声换能器阵列与CMOS电路的集成结 构及制造方法 (57)摘要 本发明提出一种超声换能器阵列与CMOS电 路的集成结构及制造方法，所述集成结构包括第 一基片和第二基片，其中，第一基片包含超声换 能器阵列及第一压焊球阵列，第二基片包含CMOS 电路，第一基片通过重布线层R DL （Re ‑ Distribution Layer）的金属布线与接口设计与 第二基片三维垂直堆叠，实现超声换能器阵列与 CMOS电路电学连接，能够大幅度缩短超声换能器 单元与系统板电路之间的金属连线长度，降低噪 声，提高系统信噪比。 A 6 7 6 5 2 2 7 1 1 N C CN 117225676 A 权　利　要　求　书