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集成芯片及其制造方法

2023-06-02 13:20:26 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN201911353697.X
  • 公开(公告)日:2024-08-09
  • 公开(公告)号:CN112537751A
  • 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:一种集成芯片,包括位于器件衬底之上的顶盖结构。器件衬底包括第一微机电系统(MEMS)器件及相对于第一微机电系统器件在横向上偏置开的第二微机电系统器件。顶盖结构包括上覆在第一微机电系统器件上的第一空腔及上覆在第二微机电系统器件上的第二空腔。第一空腔具有第一气体压力且第二空腔具有与第一空腔不同的第二气体压力。释气层邻接第一空腔。释气层包含具有释气物质的释气材料。释气材料是非晶态的。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112537751 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 201911353697.X (22)申请日 2019.12.25 (30)优先权数据 16/579,713 2019.09.23 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 王怡人 潘兴强 谢元智  (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 王素琴 (51)Int.Cl. B81B 7/02(2006.01) B81C 1/00(2006.01) 权利要求书2页 说明书17页 附图11页 (54)发明名称 集成芯片及其制造方法 (57)摘要 一种集成芯片,包括位于器件衬底之上的顶 盖结构。器件衬底包括第一微机电系统(MEMS)器 件及相对于第一微机电系统器件在横向上偏置 开的第二微机电系统器件。顶盖结构包括上覆在 第一微机电系统器件上的第一空腔及上覆在第 二微机电系统器件上的第二空腔。第一空腔具有 第一气体压力且第二空腔具有与第一空腔不同 的第二气体压力。释气层邻接第一空腔。释气层 包含具有释气物质的释气材料。释气材料是非晶 态的。 A 1 5 7 7 3 5 2 1 1 N C CN 112

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