一种微电极及其制备方法和应用

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115611230 A (43)申请公布日 2023.01.17 (21)申请号 202211335006.5 G02B 5/08 (2006.01) (22)申请日 2022.10.28 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 辛国庆　黄剑　刘泽鑫　王凡凡　 李康勇　 (74)专利代理机构 武汉欣博智慧知识产权代理 事务所(普通合伙) 42277 专利代理师 陈冠先 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 3/00 (2006.01) H10N 30/87 (2023.01) H10N 30/06 (2023.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种微电极及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明提供了一种微电极及其制备方法和 应用。本发明的微电极的制备方法，包括以下步 骤：在PDMS基体上首先旋涂聚二甲基戊二酰亚 胺，然后再旋涂光刻胶，加热；根据需要的电极图 案，对旋涂有光刻胶的PDMS基体进行曝光、显影； 在PDMS基体上制备电极，然后剥离未曝光的光刻 胶和聚二甲基戊二酰亚胺，即制备得到微电极。 本发明的微电极的制备方法，利用聚二甲基戊二 酰亚胺能够很好地旋涂在高疏水的PDMS基体上 的