一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117209284 A (43)申请公布日 2023.12.12 (21)申请号 202311255266.6 (22)申请日 2023.09.27 (71)申请人 武汉利之达科技股份有限公司 地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开 发区武大园四路1号-1、2号国家地球 空间信息产业基地五期武大慧园2、3 栋2单元3层04室 (72)发明人 张树强　黄卫军　刘松坡　 (74)专利代理机构 湖北高韬律师事务所 42240 专利代理师 张承接 (51)Int.Cl. C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 38/00 (2006.01) A24F 40/70 (2020.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图1页 (54)发明名称 一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法 (57)摘要 本发明提供一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制 备方法，通过本发明制备方法获得的碳化硅多孔 陶瓷雾化芯在保持适当孔隙率的前提下，还能够 保持较好的导油速率和吸油性能，不掉粉；并且 制备方法环保，获得的雾化芯导热性能良好。 A 4 8 2 9 0 2 7 1 1 N C CN 117209284 A 权　利　要　求　书 1/1 页 1.