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发明

基于单个FeFET的高能效CAM及其操作方法

2023-05-14 12:08:08 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210190672.8
  • 公开（公告）日：2025-03-25
  • 公开（公告）号：CN114678052A
  • 申请人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种基于单个FeFET的高能效CAM及其操作方法，涉及适合于低功耗高性能的基于FeFET的存储器的设计；充分利用了FeFET的存储特性实现了全新的基于单个FeFET的CAM单元的设计，节约了晶体管的数量，降低了搜索能耗，并获得了数据保存的非易失性。本发明采用2T‑1FeFET结构，结合了FeFET和CMOS的优点，在不降低性能的情况下，仅利用一个FeFET实现了相比传统基于CMOS的CAM更少的面积开销和更低的能耗，并且实现了非易失性；本发明还采用了自适应匹配线预充电与放电的数据搜索设计方法，通过降低匹配线电压摆幅进一步优化了搜索能耗。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678052 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210190672.8 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人 浙江大学 地址 310007 浙江省杭州市西湖区浙大路 38号 (72)发明人 尹勋钊　蔡嘉豪　卓成　 (74)专利代理机构 杭州浙科专利事务所(普通 合伙) 33213 专利代理师 吴昌榀 (51)Int.Cl. G11C 16/04 (2006.01) G11C 16/06 (2006.01) G11C 16/30 (2006.01) G06F 30/392 (2020.01) G06F 30/398 (2020.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 基于单个FeFET的高能效CAM及其操作方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于单个FeFET的高能效 CAM及其操作方法，涉及适合于低功耗高性能的 基于FeFET的存储器的设计；充分利用了FeFET的 存储特性实现了全新的基于单个FeFET的CAM单 元的设计，节约了晶体管的数量，降低了搜索能 耗，并获得了数据保存的非易失性。本发明采用 2T‑1FeFET结构，结合了FeFET和CMOS的优点，在 不降低性能的情况下，仅利用一个FeFET实现了 相比传统基于CMOS的CAM更少的面积开销和更低 的能耗，并且实现了非易失性；本发明

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