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PCT发明

用于确定影响半导体制造过程中的产率的根本原因的方法

2023-06-15 07:14:29 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN201980079801.2
  • 公开（公告）日：2024-04-16
  • 公开（公告）号：CN113168116A
  • 申请人：ASML荷兰有限公司
摘要：描述了一种用于确定影响在衬底上制造器件的过程中的产率的根本原因的方法，该方法包括：获得产率分布数据，产率分布数据包括产率参数在整个衬底或其一部分上的分布；获得量测数据的集合，每个集合包括在整个衬底或其一部分上与衬底的不同层相对应的过程参数的空间变化；基于相似度度量来比较产率分布数据和量测数据，相似度度量描述产率分布数据与量测数据的集合中的单独集合之间的空间相似度；从测量数据组中确定量测数据的第一相似集合，就对应层的处理顺序而言，量测数据的第一相似集合是量测数据的第一集合，量测数据的第一相似集合被确定为与产率分布数据相似。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113168116 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980079801.2 B ·门奇奇科夫　邹毅　程亚娜　 M ·P ·F ·格宁　陈子超　 (22)申请日 2019.11.04 D ·哈诺坦耶　张幼平　 (30)优先权数据 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 62/776,568 2018.12.07 US 公司 11021 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 代理人 胡良均 2021.06.02 (51)Int.Cl. (86)PCT国际申请的申请数据 G03F 7/20 (2006.01) PCT/EP2019/080129 2019.11.04 H01L 21/66 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据

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