一种基于单原子层的Ti4O7复合电极及其制备方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116409855 A (43)申请公布日 2023.07.11 (21)申请号 202310036921.2 (22)申请日 2023.01.10 (71)申请人 东莞理工学院 地址 523000 广东省东莞市松山湖科技产 业园区大学路1号 (72)发明人 王安祺　温宇锴　孟翠琳　刘星鑫　 (74)专利代理机构 北京华际知识产权代理有限 公司 11676 专利代理师 叶玉凤 (51)Int.Cl. C02F 1/461 (2023.01) C02F 101/36 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种基于单原子层的Ti O 复合电极及其制 4 7 备方法 (57)摘要 本发明涉及复合电极技术领域，公开了一种 基于单原子层的Ti O 复合电极及其制备方法 ； 4 7 本发明提供了一种基于单原子层的Ti O 复合电 4 7 极的制备方法，这种复合电极对全氟/多氟化合 物具有良好的去除率和脱氟率。使用MXene量子 点修饰Ti O 电极能够有效增强界面电子转移效 4 7 率及其机械性能，并有效抑制电极表面钝化。将 金属原子以单层结构的形式锚定在富有缺陷的 Ti O 电极上，可以保