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PCT发明

低比电阻物质处理方法及处理装置

2023-04-26 09:34:13 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202080024784.5
  • 公开（公告）日：2025-06-10
  • 公开（公告）号：CN114072236A
  • 申请人：上海必修福企业管理有限公司
摘要：一种低比电阻物质处理方法及处理装置，处理方法包括如下步骤：用导电极(301)将电子传导给低比电阻物质，使低比电阻物质带电；用吸附极(302)吸引带电的低比电阻物质，使带电的低比电阻物质向所述吸附极(302)移动。通过传导电子的方式使低比电阻物质带电，克服了低比电阻物质带电后容易失电所带来的问题，使得低比电阻物质在失去电子后又能快速得到电子，增加了使低比电阻物质带电的几率，并使得低比电阻物质保持带电状态，这样，吸附极(302)就能持续给低比电阻物质施加吸引力，以将低比电阻物质吸附住，并使得本低比电阻物质处理方法对低比电阻物质的收集能力强、收集效率高。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114072236 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202080024784.5 (71)申请人 上海必修福企业管理有限公司 地址 201112 上海市闵行区联航路1188号 (22)申请日 2020.03.19 10幢404B室 (66)本国优先权数据 (72)发明人 唐万福　王大祥　段志军　奚勇　 201910211284.1 2019.03.20 CN 201910340445.7 2019.04.25 CN (51)Int.Cl. 201910340443.8 2019.04.25 CN B03C 3/04 (2006.01) 201910452169.3 2019.05.28 CN B03C 3/45 (2006.01) 201910605156.5 2019.07.05 CN 201910636710.6 2019.07.15 CN (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2021.10.21 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2020/080276 2020.03.19 (87)PCT国际申请的公布数据 WO20

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