一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率的装置及方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116516459 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310668261.X (22)申请日 2023.06.07 (71)申请人 重庆臻宝科技股份有限公司 地址 401326 重庆市九龙坡区西彭镇森迪 大道66号附72号 (72)发明人 陈鸿钰　陈立航　杨佐东　郑宣　 (74)专利代理机构 重庆拓寻知识产权代理事务 所(普通合伙) 50313 专利代理师 雷钞 (51)Int.Cl. C25F 3/30 (2006.01) C25F 7/00 (2006.01) B24B 37/10 (2012.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率 的装置及方法 (57)摘要 本发明公开了一种水浴升温加快SiC电化学 机械抛光速率的装置，属于半导体硬脆材料超精 密加工设备技术领域，包括 ：盛有电解液的电解 液槽，以及电化学工作站，电解液槽底壁上转动 安装有两个第一铜抛光头，电解液槽内设置有升 温机构，第一铜抛光头顶壁通过导电胶粘接有 SiC晶片，第一铜抛光头上通过第一导电滑环和 导线与电化学工作站的阳极连接，电化学工作站 的阴极通过导线和第二导电滑环连接有第二铜 抛光头，第二铜抛光头靠近SiC晶片侧安装有抛 光片，第二铜抛光头上以第二铜抛光头轴线方向 A 为中心周向设有多个通孔。本发明通过设置升温 9 机构