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测量与使用光刻过程形成的结构有关的聚焦参数的方法

2023-06-15 07:13:43 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN201980077610.2
  • 公开(公告)日:2024-08-13
  • 公开(公告)号:CN113168112A
  • 申请人:ASML荷兰有限公司
摘要:披露了一种测量与使用光刻过程来形成结构有关的聚焦参数的方法,以及相关联的量测装置。所述方法包括:获得与所述结构的交叉偏振测量有关的测量数据;和基于所述测量数据确定所述聚焦参数的值。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113168112 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980077610.2 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2019.10.17 代理人 张启程 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 18208291.7 2018.11.26 EP G03F 7/20 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2021.05.25 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2019/078172 2019.10.17 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/108846 EN 2020.06.04 (71)申请人 ASML荷兰有限公司 地址 荷兰维德霍温 (72)发明人 李发宏 S ·索科洛夫  权利要求书1页 说明书12页 附图3页 (54)发明名称 测量与使用光刻过程形成的结构有关的聚 焦参数的方法 (57)摘要 披露了一种测量与使用光刻

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