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发明

一种电容式压差传感器、制造方法及其应用

2023-03-21 08:05:37 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202210133527.6
  • 公开（公告）日：2023-03-17
  • 公开（公告）号：CN114459666A
  • 申请人：北京航空航天大学
摘要：压差式传感器、制备方法及其应用，采用三层硅片键合的方式，上、中层结构均采用SOI晶圆，下层结构采用图形化掺杂的本征硅晶圆；所述电极的引线焊盘均位于传感器一侧的三阶台阶上；在上下电极周围开接近于环状的通孔。本发明的传感器上通过延长固定电容部分电场线的路径，减少了上电容输出电容信号中的固定电容量；下层结构采用本征硅，只有下层电极及引线部分进行了掺杂，可以导电。通过拾取两个电容的变化量，实现两个不同腔体内流体压力差的测量；传感器输出灵敏度、分辨率、线性度均有所提升；传感器的外部引线焊点布置在三层台阶处，外部电路在三层台阶处与传感器引线，实现电连接，方便传感器的集成与封装。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114459666 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210133527.6 (22)申请日 2022.02.14 (71)申请人 北京航空航天大学 地址 100191 北京市海淀区学院路37号 (72)发明人 徐天彤　李海旺　曹晓达　陶智　 翟彦欣　杨春晖　 (74)专利代理机构 北京君有知识产权代理事务 所(普通合伙) 11630 专利代理师 焦丽雅 (51)Int.Cl. G01L 13/02 (2006.01) G01L 19/06 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图10页 (54)发明名称 一种电容式压差传感器、制造方法及其应用 (57)摘要 压差式传感器、制备方法及其应用，采用三 层硅片键合的方式，上、中层结构均采用SOI晶 圆，下层结构采用图形化掺杂的本征硅晶圆；所 述电极的引线焊盘均位于传感器一侧的三阶台 阶上；在上下电极周围开接近于环状的通孔。本 发明的传感器上通过延长固定电容部分电场线 的路径，减少了上电容输出电容信号中的固定电 容量；下层结构采用本征硅，只有下层电极及引 线部分进行了掺杂，可以导电。通过拾取两个电 容的变化量，实现两个不同腔体内流体压力差的 测量；传感器输

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