发明

晶圆级多级气压微腔的密封方法、装置及介质

2023-07-30 07:15:18 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310308893.5
  • 公开(公告)日:2025-07-15
  • 公开(公告)号:CN116495694A
  • 申请人:中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
摘要:本发明提供一种晶圆级多级气压微腔的密封方法、装置及介质,涉及微系统及微纳器件技术领域,方法包括:通过设置M种密封圈结构,在预先设置的晶圆上形成N个待密封器件对应的M种待密封微腔结构,各密封圈结构的高度与M种待密封微腔结构对应的密封优先级之间呈正相关;按照M种待密封微腔结构对应的密封优先级从高到低的顺序,对M种待密封微腔结构依次执行密封操作,形成包括M种密封结构的多级气压微腔,多级气压微腔的气压环境为预先设置的M种待密封微腔结构中待密封器件对应的需求气压环境。本发明实现了对不同需求气压环境的器件的多级密封。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116495694 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310308893.5 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 中国人民解放军军事科学院国防科 技创新研究院 地址 100071 北京市丰台区东大街53号院 (72)发明人 王晓晶 梁秀兵 胡振峰 罗晓亮  王浩旭 孔令超  (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 专利代理师 赵娜 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 晶圆级多级气压微腔的密封方法、装置及介 质 (57)摘要 本发明提供一种晶圆级多级气压微腔的密 封方法、装置及介质,涉及微系统及微纳器件技 术领域,方法包括:通过设置M种密封圈结构,在 预先设置的晶圆上形成N个待密封器件对应的M 种待密封微腔结构,各密封圈结构的高度与M种 待密封微腔结构对应的密封优先级之间呈正相 关;按照M种待密封微腔结构对应的密封优先级 从高到低的顺序,对M种待密封微腔结构依次执 行密封操作,形成包括M种密封结构的多级气压 微腔,多级气压微腔的气压环境为预先设置的M 种待密封微腔结构中待密封器件对应的需求气 A 压环境。本发明实现了对不同需求气压环境的

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