1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

一种托卡马克硼化工艺

2023-07-13 07:14:44 发布于四川 6
  • 申请专利号：CN202111649980.4
  • 公开（公告）日：2025-04-29
  • 公开（公告）号：CN116411253A
  • 申请人：新奥科技发展有限公司
摘要：本发明提供了一种托卡马克硼化工艺，包括：在聚变装置的第一壁上镀上一层初始硼膜，当测量的当前硼膜厚度为所述初始硼膜厚度的预设百分比时，在所述聚变装置中调试出特定且稳定可重复的等离子体位形，并对所述第一壁上已经沉积的硼膜进行等离子体清洗后，开始通过与聚变装置连通的硼粉注入装置以预设的工艺条件向所述聚变装置中注入硼粉，以实现在聚变装置的预设部位上沉积硼膜。本发明可有效延长硼膜寿命，提升硼膜的质量，缓解硼膜受轰击后的不均匀的问题，进一步提升了硼膜对杂质的吸附抑制能力，为聚变装置等离子体放电运行提供更为可靠的壁条件。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116411253 A (43)申请公布日 2023.07.11 (21)申请号 202111649980.4 C23C 24/00 (2006.01) G21B 1/13 (2006.01) (22)申请日 2021.12.30 G21B 1/05 (2006.01) (71)申请人 新奥科技发展有限公司 地址 065001 河北省廊坊市经济技术开发 区华祥路新源东道新奥科技园南区 (72)发明人 张国松　田小让　赵鑫　吴超　 李全　 (74)专利代理机构 北京工信联合知识产权代理 有限公司 11266 专利代理师 刘海蓉 (51)Int.Cl. C23C 16/28 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种托卡马克硼化工艺 (57)摘要 本发明提供了一种托卡马克硼化工艺 ，包 括：在聚变装置的第一壁上镀上一层初始硼膜， 当测量的当前硼膜厚度为所述初始硼膜厚度的 预设百分比时，在所述聚变装置中调试出特定且

最新专利

相关专利