发明

一种MEMS四合一单片集成传感器

2023-08-25 07:25:59 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202310488581.7
  • 公开(公告)日:2023-08-22
  • 公开(公告)号:CN116621112A
  • 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要:本发明提供一种基于MEMS技术的四合一单片集成传感器及其制作方法。本发明的四合一单片集成传感器在单个硅片上集成了多种传感器的功能,可以同时测量压力、加速度、气体和湿度,可用于复杂场景下的多参数同步检测。该四合一集成传感器采用表面微机械加工工艺制作,为了形成压力传感器、加速度传感器、气体传感器和湿度传感器所需的空腔结构,采用SiO2填充且使用HF溶液腐蚀多晶硅以释放腔体的方法,这样不仅有利于各种功能传感器的工艺兼容,而且也可以提高集成传感器的成品率。同时该集成传感器的制作成本相对较低,适合于大批量生产。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116621112 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310488581.7 (22)申请日 2023.05.04 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 陶虎 李晓辉 秦楠  (74)专利代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 专利代理师 杨怡清 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 一种MEMS四合一单片集成传感器 (57)摘要 本发明提供一种基于MEMS技术的四合一单 片集成传感器及其制作方法。本发明的四合一单 片集成传感器在单个硅片上集成了多种传感器 的功能 ,可以同时测量压力、加速度、气体和湿 度,可用于复杂场景下的多参数同步检测。该四 合一集成传感器采用表面微机械加工工艺制作, 为了形成压力传感器、加速度传感器、气体传感 器和湿度传感器所需的空腔结构,采用SiO 填充 2 且使用HF溶液腐蚀多晶硅以释放腔体的方法,这 样不仅有利于各种功能传感器的工艺兼容,而且 也可以提高集成传感器的成品率。同时该集成传 感器的制作成本相对较低,适合于大批量生产。 A 2 1 1 1 2 6

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