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发明

硅光子结构及其制造方法及晶片级系统

2022-10-24 10:25:58 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202110786160.3
  • 公开（公告）日：2025-01-24
  • 公开（公告）号：CN114994831A
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明实施例公开用于硅光子(SiPh)结构的装置和方法，硅光子结构包括以下各项的集成：电子集成电路(EIC)；光子集成电路(PIC)，安置在电子集成电路的顶部上；两个或大于两个聚合物波导(PWG)，安置在光子集成电路的顶部上且由包覆聚合物层和芯聚合物层形成；以及集成扇出型重布线(InFO RDL)层，安置在两个或大于两个聚合物波导的顶部上。聚合物波导的操作是基于包覆聚合物和芯聚合物的折射率。通过边缘耦合、反射棱镜以及光栅耦合提供层间光信号耦合。晶片级系统实施硅光子结构管芯且在聚合物波导之间提供管芯间信号光学内连。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114994831 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202110786160.3 H01L 25/16 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01) (22)申请日 2021.07.12 H01L 21/50 (2006.01) (30)优先权数据 17/320,596 2021.05.14 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 陈又豪　李惠宇　翁崇铭　管瑞丰　 吴建德　 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 专利代理师 王素琴 (51)Int.Cl. G02B 6/122 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图25页 (54)发明名称 硅光子结构及其制造方法及晶片级系统 (57)摘要 本发明实施例公开用于硅光子(SiPh)结构 的装置和方法，硅光子结构包括以下各项的集 成：电子集成电路(EIC)；光子集成电路(PIC)，安 置在电子集成电路的顶部上；两个或大于两个聚 合物波导(

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