硅光子结构及其制造方法及晶片级系统
- 申请专利号:CN202110786160.3
- 公开(公告)日:2025-01-24
- 公开(公告)号:CN114994831A
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114994831 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202110786160.3 H01L 25/16 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01) (22)申请日 2021.07.12 H01L 21/50 (2006.01) (30)优先权数据 17/320,596 2021.05.14 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 陈又豪 李惠宇 翁崇铭 管瑞丰 吴建德 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 专利代理师 王素琴 (51)Int.Cl. G02B 6/122 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图25页 (54)发明名称 硅光子结构及其制造方法及晶片级系统 (57)摘要 本发明实施例公开用于硅光子(SiPh)结构 的装置和方法,硅光子结构包括以下各项的集 成:电子集成电路(EIC);光子集成电路(PIC),安 置在电子集成电路的顶部上;两个或大于两个聚 合物波导(
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