半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114721235 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210324330.0 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人 昆山一鼎工业科技有限公司 地址 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇 望山北路399号 (72)发明人 陈利解　门松明珠　周爱和　 (74)专利代理机构 常州至善至诚专利代理事务 所(普通合伙) 32409 专利代理师 吴霜 (51)Int.Cl. G03F 7/30 (2006.01) H01L 21/48 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置 (57)摘要 本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻 制造的技术领域，具体涉及半导体引线框架蚀刻 产品制造的蚀刻装置，这种半导体引线框架蚀刻 产品制造的蚀刻装置包括：相对设置的上显影槽 和下显影槽；上显影槽的下部设置有若干上喷 嘴，下显影槽的上部设置有若干下喷嘴，上喷嘴 和下喷嘴错位相对，若干上喷嘴为阵列分布，一 列上的上喷嘴呈W分布，若干下喷嘴为阵列分布， 一列上的下喷嘴呈W分布；上显影槽和下显影槽 设置有上下移动机构。这种半导体引线框架蚀刻 产品制造的蚀刻装置具有多角度清除产品表面 微小颗粒残留，便于后续加工，提升产品质量的 A 效果。 5 3 2 1 2 7 4 1 1 N C CN 11472123