一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117375547 A (43)申请公布日 2024.01.09 (21)申请号 202210762500.3 (22)申请日 2022.06.29 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 姜文铮　母志强　赵佳　李卫民　 俞文杰　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 罗泳文 (51)Int.Cl. H03H 3/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方 法 (57)摘要 本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振 器的制备方法，包括：在第一衬底上生长至少一 层压电薄膜；形成第一电极；图形化第一电极和 压电薄膜，再形成键合层；刻蚀键合层，形成第一 开口；将键合层与第二衬底键合固定，所述第一 开口形成空腔结构；去除第一衬底，暴露出压电 薄膜的底表面，减薄压电薄膜的底表面，在压电 薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长，形成二次 压电薄膜生长层；形成介质层，并图形化所述介 质层，形成第二开口；形成第二电极，并制作电性 引出结构。本发明通过减薄和再生长工艺制备掺 A 杂AlN与单晶AlN相结合的压电层，有利于提升压 7 电层厚度及质量、改善压电层应力，进一步提高 4 5 5 体声波谐振器的机电耦合系数、品质因数