一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113321179 A (43)申请公布日 2021.08.31 (21)申请号 202110573749.5 (22)申请日 2021.05.25 (71)申请人 曹建峰 地址 234000 安徽省宿州市埇桥区师范路 电厂小区C栋403 (72)发明人 曹建峰　毛羽宏　 (74)专利代理机构 北京高航知识产权代理有限 公司 11530 代理人 李浩 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B82Y 15/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书3页 (54)发明名称 一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的 方法 (57)摘要 本发明公开了一种非抛光制作薄膜传感器 用金属基底的方法，以硅片作为牺牲层，借助硅 片表面极低的粗糙度，直接在其表面电镀金属 层，然后侵蚀去掉硅片。本发明借助硅片作为牺 牲层结合电镀的工艺制作出表面粗糙度达到硅 片表面程度的金属基底，所采用的工艺成熟简 单，节省了大量的时间和成本；同时整个工艺可 以在超净间开展，避免了金属基底从“非洁净”空 间转移至超净间带来了污染物，降低了在金属基 底上成功制作传感器的难度。 A 9 7 1 1 2 3 3 1 1 N C CN 113321179 A 权　利　要　求　书