存储阵列、存储单元及其数据读写方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116312669 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202111564800.2 (22)申请日 2021.12.20 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230011 安徽省合肥市经济开发区空 港工业园兴业大道388号 (72)发明人 吴玉雷　王晓光　 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 专利代理师 张娜　刘芳 (51)Int.Cl. G11C 7/12 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 存储阵列、存储单元及其数据读写方法 (57)摘要 本公开提供一种存储阵列、存储单元及其数 据读写方法，通过在MRAM的存储阵列中的每个存 储单元中设置两个存储节点，使得存储单元中一 个存储节点失效时，还可以使用该存储单元另一 个存储节点进行写入数据和读取数据，从而延长 了存储单元的耐久力和保持力，进而提高了存储 单元的使用寿命，增加MRAM的稳定性。 A 9 6 6 2 1 3 6 1 1 N C CN 116312669 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种存储单元，其特征在于，包括： 第一存储节点，所述第一存储节点分别与晶体管的第一端和第一位线连接；