半导体结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113200510 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110471280.4 (22)申请日 2021.04.29 (71)申请人 日月光半导体制造股份有限公司 地址 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26 号 (72)发明人 叶昶麟　 (74)专利代理机构 北京植德律师事务所 11780 代理人 唐华东 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 半导体结构 (57)摘要 本公开涉及半导体结构。通过疏水材料与亲 水材料形成密封材的限制区，解决了密封材不易 控制的问题，改善了产品的性能，提高了产品的 良率。 A 0 1 5 0 0 2 3 1 1 N C CN 113200510 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种半导体结构，包括： 第一电子元件，所述第一电子元件的下表面具有第一限制区域； 第二电子元件，所述第二电子元件的上表面具有第二限制区域； 密封材，设于所述第一限制区域与所述第二限制区域之间； 所述第一限制区域、所述第二限制区域以及所述密封材具有相同的材料表面特性。 2.根据权利要求1所述的半