发明

一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用2025

2023-11-11 07:27:05 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202311208845.5
  • 公开(公告)日:2025-07-18
  • 公开(公告)号:CN117004865A
  • 申请人:北京工业大学
摘要:本发明提供一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用,涉及电子封装芯片互联材料制造技术领域。本发明提供了一种细晶化SnBiIn合金,按原子百分比计,Sn的含量为30~50at%,Bi的含量为20~40at%,In的含量为30~50at%,细晶化SnBiIn合金采用球磨的方法制备得到。本发明还提供了一种SnBiIn合金钎料,包含SnBiIn合金焊片或SnBiIn合金焊膏。本发明通过调整各元素的比例,并采用真空感应熔炼与球磨的制备方法,使In完全与Bi反应,抑制了脆性Bi相析出,组织均匀细小,熔点低,提高焊点的电迁移性能、热疲劳性能和力学性能,减小芯片翘曲的程度以及焊点失效的概率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117004865 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202311208845.5 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 北京工业大学 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号 (72)发明人 籍晓亮 于航 王雪篪 侯宁  杨子辰 王乙舒 郭福  (74)专利代理机构 北京东方盛凡知识产权代理 有限公司 11562 专利代理师 张鸾 (51)Int.Cl. C22C 30/04 (2006.01) C22C 1/02 (2006.01) B22F 9/04 (2006.01) B22F 3/105 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应 用 (57)摘要 本发明提供一种细晶化SnBiIn合金及其制 备方法和应用,涉及电子封装芯片互联材料制造 技术领域。本发明提供了一种细晶化SnBiIn合 金,按原子百分比计,Sn的含量为30~50at%,Bi 的含量为20~40at%,In的含量为30~50at%, 细晶化SnBiIn合金采用球磨的方法制备得到。本 发明还提供了一种SnBiIn合金钎料,包含SnBiIn 合金焊片或SnBiIn合金焊膏。本发明通过调整各 元素的比例,并采用真空感应熔炼与球磨的制备 方法,使In完全与Bi反应,抑制了脆性Bi相析出, 组织均匀细

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