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发明

一种超薄镍-63辐射源及其制备方法、应用

2023-04-28 10:06:32 发布于四川 8
  • 申请专利号：CN202111518716.7
  • 公开（公告）日：2024-09-10
  • 公开（公告）号：CN114203330A
  • 申请人：中国核动力研究设计院
摘要：本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203330 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111518716.7 B22F 9/30 (2006.01) (22)申请日 2021.12.13 (71)申请人 中国核动力研究设计院 地址 610000 四川省成都市双流区长顺大 道一段328号 (72)发明人 周春林　杨毓枢　吴巍伟　李培咸　 张劲松　陈桎远　冯焕然　苏晨　 王磊　王旭　 (74)专利代理机构 成都行之专利代理事务所 (普通合伙) 51220 代理人 唐邦英 (51)Int.Cl. G21H 1/06 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C23C 24/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种超薄镍-63辐射源及其制备方法、应用 (57)摘要 本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制 备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备 镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米 颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石 墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜 置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于 PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳 米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮

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