反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装置的编程方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649041 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202111354685.6 (22)申请日 2021.11.16 (30)优先权数据 63/127,165 2020.12.18 US 17/469,828 2021.09.08 US (71)申请人 力旺电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 李玠泽　颜鼎洋　黄正达　林俊宏　 (74)专利代理机构 深圳新创友知识产权代理有 限公司 44223 专利代理师 江耀纯 (51)Int.Cl. G11C 17/16 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) H01L 27/112 (2006.01) 权利要求书3页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装 置的编程方法 (57)摘要 本发明公开了一种反熔丝存储装置、存储阵 列及反熔丝存储装置的编程方法。当反熔丝存储 装置的驱动电路编程所选中的反熔丝记忆胞时， 藉由浮接未被选中的反熔丝控制线或对未被选 中的反熔丝控制线施加第二控制线电压，未被选 中的位线和未被选中的反熔丝控制线之间的电 压差将被消除或降低至可接受的值。从未被选中 的位线通过破裂的反熔丝晶体管而流向未被选 中的反熔丝控制线的漏电流将被减少或消除，而 可避免编程干扰。 A 1 4 0 9 4 6