一种刻蚀机启辉方法、装置、设备及计算机可读存储介质

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116261249 A (43)申请公布日 2023.06.13 (21)申请号 202310233048.6 (22)申请日 2023.03.13 (71)申请人 上海集成电路装备材料产业创新中 心有限公司 地址 201807 上海市嘉定区娄陆公路497号 (72)发明人 俞新杰　戴秋贇　刘庆鹏　李靖　 诸荣烽　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 高勇 (51)Int.Cl. H05H 1/24 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图3页 (54)发明名称 一种刻蚀机启辉方法、装置、设备及计算机 可读存储介质 (57)摘要 本发明公开了一种刻蚀机启辉方法、装置、 设备及计算机可读存储介质，应用于晶圆刻蚀领 域，包括 ：利用预设气压和预设功率对等离子体 进行预启辉处理 ；预设气压小于刻蚀步骤的气 压，预设功率小于刻蚀步骤的功率；获取预启辉 处理过程中预设功率对应的反射功率；若达到第 一条件，则确定预启辉完成，以便进入刻蚀步骤； 第一条件为预设功率中有效功率达到第一预设 值，且反射功率小于第二预设值 ；有效功率为预 设功率减去反射功率得到的功率。本发明通过利 用预设气压小于刻蚀步骤的气压和预设功率小 A 于刻蚀步骤的功率，对等离子体进行