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发明

一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用

2023-06-07 22:07:26 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211418309.3
  • 公开（公告）日：2025-04-22
  • 公开（公告）号：CN115742513A
  • 申请人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明涉及一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用，涉及形状记忆传感器技术领域，所述形状记忆柔性传感器包括：形状记忆基体以及设置在所述形状记忆基体上方的电极，所述形状记忆基体由形状记忆材料采用4D打印方式制备，且所述形状记忆基体具有负泊松比结构，所述电极包括形状记忆薄膜和导电层，所述导电层设置于所述形状记忆薄膜的表面，且所述形状记忆薄膜包括表面带有第一变形结构的形状记忆薄膜。与现有技术比较，本发明结构简单，可靠性高，成本低，且能够在外部刺激及面内轴向载荷的作用下发生面内重构，且能够在外部刺激及面外轴向载荷的作用下发生面外重构，以调节柔性传感器的力学性能和电学性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115742513 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211418309.3 B32B 27/40 (2006.01) B32B 33/00 (2006.01) (22)申请日 2022.11.14 G01L 1/16 (2006.01) (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 赵伟　李楠　刘立武　刘彦菊　 冷劲松　 (74)专利代理机构 北京隆源天恒知识产权代理 有限公司 11473 专利代理师 鲍丽伟 (51)Int.Cl. B32B 27/36 (2006.01) B32B 3/08 (2006.01) B32B 27/06 (2006.01) B32B 27/38 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用 (57)摘要 本发明涉及一种形状记忆柔性传感器、制备 方法及应用，涉及形状记忆传感器技术领域，所 述形状记忆柔性传感器包括：形状记忆基体以及 设置在所述形状记忆基体上方的电极，所述形状 记忆基

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