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一种MEMS微热板及其制备方法2024

2024-01-26 08:09:05 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202311365959.0
  • 公开(公告)日:2024-10-11
  • 公开(公告)号:CN117401643A
  • 申请人:扬州国宇电子有限公司
摘要:本发明公开了MEMS传感器技术领域内的一种MEMS微热板,包括:硅基底;隔热层,设置于硅基底上部,隔热层材质为多孔硅;绝缘层,设置于隔热层上方,绝缘层从下至上依次包括第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层;金属层,设置于绝缘层上方,金属层包括共平面的加热电极和测试电极,测试电极被加热电极所包围,测试电极和加热电极之间设置有隔离环。相较于悬空结构,该MEMS微热板的结构稳定性好,制作难度低;其绝缘层选择氧化硅‑氮化硅‑氧化硅的复合结构,提高了器件的机械强度和抗冷热冲击的能力;另外,该MEMS微热板的加热区域和测试区域相互独立,避免气敏材料涂敷时出现短路。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117401643 A (43)申请公布日 2024.01.16 (21)申请号 202311365959.0 H05B 3/20 (2006.01) (22)申请日 2023.10.20 (71)申请人 扬州国宇电子有限公司 地址 225000 江苏省扬州市吴州东路188号 (72)发明人 时浩 李浩 马文力 董文俊  李霖 袁海霞  (74)专利代理机构 南京源点知识产权代理有限 公司 32545 专利代理师 罗超 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) H05B 3/02 (2006.01) H05B 3/03 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS微热板及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了MEMS传感器技术领域内的一 种MEMS微热板,包括:硅基底;隔热层,设置于硅 基底上部,隔热层材质为多孔硅;绝缘层,设置于 隔热层上方,绝缘层从下至上依次包括第一氧化 硅层、氮化硅层和第二氧化硅层;金属层,设置于 绝缘层上方,金属层包括共平面的加热电极和测 试电极,测试电极被加热电极所包围,测试电极 和加热电极之间设置有隔离环。相较于悬空结 构,该MEMS微热板的结构稳定

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