发明

一种芯片封装焊接真空炉及其传输方法2025

2024-03-25 07:16:58 发布于四川 3
  • 申请专利号:CN202311493022.1
  • 公开(公告)日:2025-07-04
  • 公开(公告)号:CN117718556A
  • 申请人:泰姆瑞(北京)精密技术有限公司
摘要:本发明涉及半导体芯片封装技术领域,提供芯片封装焊接真空炉及其传输方法,包括第一真空腔、第二真空腔、第三真空腔、第四真空腔和第五真空腔;所述第一真空腔、所述第二真空腔、所述第三真空腔、所述第四真空腔和所述第五真空腔沿作业流程方向依次设置;所述第一真空腔和所述第五真空腔为独立真空腔,通过控制速度达到最优的传输速度,防止工件的堆叠碰撞,保证了高效率的连续作业。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117718556 A (43)申请公布日 2024.03.19 (21)申请号 202311493022.1 (22)申请日 2023.11.10 (66)本国优先权数据 202211689261.X 2022.12.28 CN (71)申请人 泰姆瑞(北京)精密技术有限公司 地址 101106 北京市通州区景盛南四街联 东U谷中区15号12G (72)发明人 张延中 赵永先 邓燕 文爱新  (51)Int.Cl. B23K 3/04 (2006.01) B23K 1/008 (2006.01) B23K 3/08 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) H01L 21/677 (2006.01) B23K 101/40 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种芯片封装焊接真空炉及其传输方法 (57)摘要 本发明涉及半导体芯片封装技术领域,提供 芯片封装焊接真空炉及其传输方法,包括第一真 空腔、第二真空腔、第三真空腔、第四真空腔和第 五真空腔;所述第一真空腔、所述第二真空腔、所 述第三真空腔、所述第四真空腔和所述第五真空 腔沿作业流程方向依次设置;所述第一真空腔和 所述第五真空腔为独立真空腔,通过控制速度达 到最优的传输速度,防止工件的堆叠碰撞,保证 了高效率的连续作业。 A 6 5 5 8 1 7 7

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