发明

存储器及其访问方法、电子设备

2023-06-30 07:03:59 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202210804207.9
  • 公开(公告)日:2023-05-23
  • 公开(公告)号:CN115171751A
  • 申请人:北京超弦存储器研究院
摘要:本申请实施例提供了一种存储器及其访问方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字线和读位线;存储阵列包括若干阵列排布的存储单元,存储单元包括第一晶体管和第二晶体管;控制电路被配置为在预处理阶段,将第一电压传输至读字线和读位线;以及,在预充电阶段,将第二电压传输至存储单元连接的读位线,在读取感应阶段,将第三电压传输至存储单元连接的读字线。本申请提供的存储器能够将数据可靠的读出,同时能够避免或者有效降低串扰。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115171751 A (43)申请公布日 2022.10.11 (21)申请号 202210804207.9 (22)申请日 2022.07.07 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区景园北街52幢5层501-12 (72)发明人 朱正勇 康卜文 王丹 赵超  (74)专利代理机构 北京市立方律师事务所 11330 专利代理师 张筱宁 王存霞 (51)Int.Cl. G11C 11/4094 (2006.01) G11C 11/408 (2006.01) G11C 11/401 (2006.01) G11C 11/4074 (2006.01) 权利要求书3页 说明书13页 附图9页 (54)发明名称 存储器及其访问方法、电子设备 (57)摘要 本申请实施例提供了一种存储器及其访问 方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵 列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字 线和读位线;存储阵列包括若干阵列排布的存储 单元,存储单元包括第一晶体管和第二晶体管; 控制电路被配置为在预处理阶段,将第一电压传 输至读字线和读位线;以及,在预充电阶段,将第 二电压传输至存储单元连接的读位线,在读取感 应阶段,将第三电压传输至存储单元连接的读字 线。本申请提供的存储器能够将数据可靠的读 出,同时能够避免或者有效降低串扰。 A 1 5 7 1 7

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