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发明

一种抗还原低温烧结C0G陶瓷介质材料及其制备方法和应用2025

2023-10-31 07:28:41 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202311008607.X
  • 公开（公告）日：2025-03-07
  • 公开（公告）号：CN116947486A
  • 申请人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的陶瓷材料，包括以下质量份的组分：79.80～96.10份SrZrO3，0.63～17.55份Mg2SiO4，2.55～3.60份SrTiO3，0.8～4.1份改性剂和8.00～10.5份烧结助剂；所述改性剂包括MnO2、MgO、Y2O3、Dy2O3、Nd2O3、Sm2O3和Al2O3中的至少四种物质；所述烧结助剂包括Li2CO3、H3BO3、BaCO3、ZnO和SiO2中至少四种物质。以本发明提供的陶瓷材料作为介质材料制备得到的铜电极MLCC具有低损耗、高绝缘电阻特点。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116947486 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202311008607.X H01G 4/30 (2006.01) (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人 北京元六鸿远电子科技股份有限公 司 地址 100070 北京市丰台区海鹰路1号院5 号楼3层3-2(园区) (72)发明人 杨魁勇　程华容　张旭　宋蓓蓓　 齐世顺　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 王立普 (51)Int.Cl. C04B 35/49 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/626 (2006.01) H01G 4/008 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 (54)发明名称 一种抗还原低温烧结C0G陶瓷介质材料及其 制备方法和应用 (57)摘要 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一 种陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供的 陶瓷材料，包括以下质量份的组分：79 .80～ 96.10份SrZrO ，0.63～17.55份Mg SiO ，2.55～ 3 2 4 3.60份SrTiO ，0.8～4.1份改性剂和8.00～10

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