MEMS腔体结构的形成方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114314501 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111630653.4 (22)申请日 2021.12.28 (30)优先权数据 17/161,705 2021.01.29 US (71)申请人 瑞声声学科技（深圳）有限公司 地址 518057 广东省深圳市南山区高新区 南区粤兴三道6号南京大学深圳产学 研大楼A座 (72)发明人 吴伟昌　舒罗西 巴拉德瓦贾　 黎家健　 (74)专利代理机构 深圳紫辰知识产权代理有限 公司 44602 代理人 万鹏 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 MEMS腔体结构的形成方法 (57)摘要 本发明涉及半导体技术领域，并提供一种 MEMS腔体结构的形成方法，可以提高关于MEMS结 构的功能稳定性和可靠性的MEMS集成和封装的 工艺良率。该方法包括步骤：在底层上形成粘附 材料层；在所述粘附材料层上形成支撑结构和在 由所述支撑结构围成的空间中填充牺牲层；在所 述支撑结构和所述牺牲层上形成封盖层，所述底 层、所述支撑结构和所述封盖层共同形成腔体； 以及释放所述牺牲层和所述粘附材料层，以形成 所述腔体结构。 A 1 0 5 4 1 3 4 1 1 N C CN