一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116334557 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310329308.X (22)申请日 2023.03.30 (71)申请人 浙江大学 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 李东升　吴昀峰　杨德仁　 (74)专利代理机构 杭州天勤知识产权代理有限 公司 33224 专利代理师 高佳逸 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) H01L 33/26 (2010.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和 应用 (57)摘要 本发明公开了一种氟铒共掺氧化锡薄膜及 其制备方法和在近红外电致发光领域中的应用。 制备方法包括：在真空下，通入氩气和氧气混合 气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧 化铒靶进行共溅射沉积薄膜；掺氟氧化锡靶中氟 化亚锡的质量百分占比不大于20％；在氧气或氮 气气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200 ℃以上进行高温热处理，冷却得到氟铒共掺氧化 锡薄膜。本发明薄膜用于制作电致发光器件后， 在施加反向偏压的情况下，基于空间电荷区中发 生的电子碰撞离化效应，可以实现较强的电致发 A 光。 7 5 5 4 3 3 6