发明

金属层光刻工艺热点的修复方法2024

2024-03-31 07:56:40 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202010884271.3
  • 公开(公告)日:2024-03-29
  • 公开(公告)号:CN111929982A
  • 申请人:上海华力微电子有限公司
摘要:本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法,包括以下步骤:S1:提供用于形成金属层的掩膜版图形,掩膜版图形中具有若干工艺热点区域,所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域;执行步骤S2,S2:获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段;执行步骤S3,S3:将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域,并更新所述掩膜版图形;S4:对更新后的掩膜版图形进行仿真;S5:当仿真失败时,则返回步骤S3,当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时,输出最新的所述掩膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111929982 A (43)申请公布日 2020.11.13 (21)申请号 202010884271.3 (22)申请日 2020.08.28 (71)申请人 上海华力微电子有限公司 地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号 (72)发明人 何大权 陈翰 赵宝燕  (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代理人 曹廷廷 (51)Int.Cl. G03F 1/72 (2012.01) G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 金属层光刻工艺热点的修复方法 (57)摘要 本发明提供了一种金属层光刻工艺热点的 修复方法,包括以下步骤:S1:提供用于形成金属 层的掩膜版图形,掩膜版图形中具有若干工艺热 点区域,所述工艺热点区域包括对应金属线的第 一区域及对应接触孔的第二区域;执行步骤S2, S2:获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之 间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段; 执行步骤S3,S3:将所述扩展线段向外移动第二 设定值以扩大所述第一区域,并更新所述掩膜版 图形;S4:对更新后的掩膜版图形进行仿真;S5: 当仿真失败时,则返回步骤S3,当仿真通过或仿 真的次数达到第三设定值时,输出最新的所述掩 A 膜版图形。本发明的金属层光刻工艺热点的修复 2 方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。 8 9 9 2 9 1

最新专利