基于悬膜结构MEMS桥式钯合金氢气传感芯片及制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116534788 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202310249668.9 (22)申请日 2023.03.15 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 (72)发明人 王海容　弓瑨　王朝晖　王瑞浩　 (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 姚咏华 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图9页 (54)发明名称 基于悬膜结构MEMS桥式钯合金氢气传感芯 片及制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于悬膜结构MEMS桥式 钯合金氢气传感芯片及制备方法，传感芯片从下 到上依次为掩蔽层、硅基底、绝缘层、气敏材料、 测试电极与加热电极和保护层。首先在硅基底上 制备正面绝缘层和背面掩蔽层；其次在绝缘层上 依次溅射沉积电桥结构的钯合金气敏材料、测试 电极与加热电极及其引线盘和保护层；最后通过 刻蚀背面掩蔽层和硅基底形成悬膜结构。本发明 基于钯合金材料构建惠斯通电桥，在保证薄膜强 度的基础上提高响应恢复速度，具有灵敏度高、 选择性好，输出信号稳定的特点。 A 8 8 7 4 3 5 6 1 1 N C CN 11653478