一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真及加工方法
- 申请专利号:CN202310143325.4
- 公开(公告)日:2025-04-04
- 公开(公告)号:CN116197738A
- 申请人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116197738 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310143325.4 (22)申请日 2023.02.21 (71)申请人 中国工程物理研究院激光聚变研究 中心 地址 610000 四川省成都市武侯区科园1路 3号 (72)发明人 侯晶 许乔 李洁 钟波 陈贤华 郑楠 李海波 邓文辉 王健 (74)专利代理机构 四川中代知识产权代理有限 公司 51358 专利代理师 王鸿 (51)Int.Cl. B24B 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真 及加工方法 (57)摘要 本发明适用于光学复杂曲面元件的超精密 抛光领域,提供了一种复杂曲面光学元件磁流变 抛光的仿真及加工方法,包括以下步骤:H1 :根据 干涉仪的检测图像和加工后预期面形,计算初始 面形误差;H2 :根据元件类型和初始面形误差选 取合适的抛光轨迹;H3 :对面形误差进行非球面 区域划分,获得各个划分区域的位置、大小、球面 半径和球心坐标 ,得到各个划分区域的去除函 数;H4:进行磁流变抛光采斑实验,获取当前加工 条件下实际抛光斑的三维形貌,并计算得到各个 划分区域的抛光斑去除函数;H5:分配驻留点,并 A 计算驻留时间矩阵。本方法可以达到高精度的磁 8 流变抛光效果,为磁流变抛光工艺提
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