一种湿法氧化工艺用铜片架

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116426908 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310267851.1 (22)申请日 2023.03.20 (71)申请人 上海富乐华半导体科技有限公司 地址 200444 上海市宝山区山连路181号3 幢 (72)发明人 黄元昊　孙见　祝林　戴洪兴　 (74)专利代理机构 上海申浩律师事务所 31280 专利代理师 陆叶 (51)Int.Cl. C23C 22/00 (2006.01) H01L 21/687 (2006.01) H01L 21/48 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种湿法氧化工艺用铜片架 (57)摘要 本发明涉及半导体器件加工生产设备领域。 一种湿法氧化工艺用铜片架，包括用于支撑铜片 的支撑架，支撑架包括支撑杆，支撑杆的相对侧 开设有沿着轴向左右贯穿的缺口；支撑杆上套设 有至少三个从左至右排布的隔离环，相邻的隔离 环相连形成宽度从内至外递增的插片槽部；隔离 环的内部镂空，隔离环包括外环，隔离环的内侧 设有两个相对设置且用于横向滑入支撑杆的滑 块部，外环通过引导部与滑块部相连；隔离环包 括位于中部的中部隔离环、位于左端的左端隔离 环以及位于右端的右端隔离环，所有的中部隔离 环结构相同 ；支撑杆的两端还螺纹连接有限位 A 件，支撑杆两端的限位件分别抵住左端隔离环以 8 及右端隔离环。本发明可以使药液沿铜片架径向 0 9 6