一种硅纳米锥阵列及其制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112573478 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011475382.5 (22)申请日 2020.12.15 (71)申请人 苏州大学 地址 215000 江苏省苏州市吴中区石湖西 路188号 (72)发明人 张晓宏　张丙昌　卞辰瑜　 (74)专利代理机构 苏州市中南伟业知识产权代 理事务所(普通合伙) 32257 代理人 王玉仙 (51)Int.Cl. B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种硅纳米锥阵列及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种硅纳米锥阵列及其制备 方法，采用全湿法金属催化化学刻蚀的方法在硅 晶圆表面刻蚀出均匀的硅纳米锥阵列，催化剂金 属银颗粒直径在硅微纳结构刻蚀过程中逐渐减 小，从而实现了大面积硅纳米锥阵列的可控制 备。该方法具有低成本、高效率和适用于大规模 生产的优势，所制得的硅纳米锥阵列在光电领 域、防水、自清洁窗户以及场发射领域都具有广 阔的应用前景。 A 8 7 4 3 7 5 2 1 1 N C CN 112573478 A 权　利　要　求　书