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一种微机电传感器的背腔的制造方法

2023-06-16 07:24:04 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202110367160.X
  • 公开(公告)日:2024-08-16
  • 公开(公告)号:CN113200511A
  • 申请人:杭州士兰集昕微电子有限公司
摘要:本申请公开了一种微机电传感器的背腔的制造方法,该背腔的制造方法包括:采用第一Bosch工艺在衬底中形成凹槽,第一Bosch工艺包括向衬底多次交替输送刻蚀气体与保护气体,衬底具有相对的正面与背面,凹槽自衬底的背面延伸至衬底中;以及采用第二Bosch工艺将凹槽继续延伸至衬底的正面,以形成贯穿衬底的背腔,第二Bosch工艺包括对衬底多次交替的输送刻蚀气体与保护气体,其中,第一Bosch工艺在向衬底输送刻蚀气体的阶段内对衬底的刻蚀速率高于第二Bosch工艺在向衬底输送刻蚀气体的阶段内对衬底的刻蚀速率。该背腔的制造方法通过两次Bosch工艺形成背腔并提高第一Bosch工艺中的刻蚀速率,从而提高了背腔的形成效率。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113200511 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110367160.X (22)申请日 2021.04.06 (71)申请人 杭州士兰集昕微电子有限公司 地址 310018 浙江省杭州市钱塘新区10号 大街(东)308号13幢 (72)发明人 金文超 孙福河 李佳 季锋  闻永祥  (74)专利代理机构 北京成创同维知识产权代理 有限公司 11449 代理人 蔡纯 杨思雨 (51)Int.Cl. B81B 7/04 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种微机电传感器的背腔的制造方法 (57)摘要 本申请公开了一种微机电传感器的背腔的 制造方法,该背腔的制造方法包括:采用第一 Bosch工艺在衬底中形成凹槽,第一Bosch工艺包 括向衬底多次交替输送刻蚀气体与保护气体,衬 底具有相对的正面与背面,凹槽自衬底的背面延 伸至衬底中;以及采用第二Bosch工艺将凹槽继 续延伸至衬底的正面,以形成贯穿衬底的背腔, 第二Bosch工艺包括对衬底多次交替的输送刻蚀 气体与保护气体,其中,第一Bosch工艺在向衬底 输送刻蚀气体的阶段内对衬底的刻蚀速率高于 第二Bosch工艺在向衬底输送刻蚀气体的阶段内 对衬底的刻蚀速率。该背腔的

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