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一种晶体薄膜波导三维电场信号传感器及其制备方法

2023-05-20 11:13:06 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210477432.6
  • 公开(公告)日:2024-09-27
  • 公开(公告)号:CN114924429A
  • 申请人:长春理工大学
摘要:一种晶体薄膜波导三维电场信号传感器及其制备方法涉及光传感技术领域,该传感器自下而上依次包括:晶体基底、第二台阶、第一台阶,以及设置在晶体基底上,位于第二台阶两侧的金属正负电极;第二台阶和第一台阶为一体化结构,材料为电光效应系数高于400pm/V的晶体薄膜;第一台阶与正负金属电极平行设置,且第一台阶为脊条;光信号从第一台阶的脊条一端面输入,形成导波模式,在第二台阶和脊条内形成的波导通道中并传输,最后在其相对的另一端面输出;金属负电极用作零线,在金属正电极处输入一个调制电压,使波导通道的折射率发生变化,改变了光信号的光学相位和偏振状态。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114924429 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210477432.6 (22)申请日 2022.05.04 (71)申请人 长春理工大学 地址 130000 吉林省长春市朝阳区卫星路 7089号 (72)发明人 孙德贵 罗梦希 金光勇  (74)专利代理机构 长春众邦菁华知识产权代理 有限公司 22214 专利代理师 曲博 (51)Int.Cl. G02F 1/00 (2006.01) G02F 1/01 (2006.01) G02F 1/355 (2006.01) G02F 1/365 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种晶体薄膜波导三维电场信号传感器及 其制备方法 (57)摘要 一种晶体薄膜波导三维电场信号传感器及 其制备方法涉及光传感技术领域,该传感器自下 而上依次包括:晶体基底、第二台阶、第一台阶, 以及设置在晶体基底上,位于第二台阶两侧的金 属正负电极;第二台阶和第一台阶为一体化结 构,材料为电光效应系数高于400pm/V的晶体薄 膜;第一台阶与正负金属电极平行设置,且第一 台阶为脊条;光信号从第一台阶的脊条一端面输 入,形成导波模式,在第二台阶和脊条内形成的 波导通道中并传输,最后在其相对的另一端面输 出;金属负电极用作零线,在金属正电极处输入 A 一个调制电压,使波导通道的折射率发生变化,

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