一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法
- 申请专利号:CN202010525014.0
- 公开(公告)日:2024-07-23
- 公开(公告)号:CN113772620A
- 申请人:中国科学院微电子研究所
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113772620 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202010525014.0 (22)申请日 2020.06.10 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 (72)发明人 吴朋桦 屈芙蓉 夏洋 江雷 吴雨辰 孙冰朔 李楠 李培源 冷兴龙 卢维尔 赵丽莉 刘涛 何萌 (74)专利代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 李鑫 (51)Int.Cl. B81C 1/00(2006.01) G01N 3/06(2006.01) G01N 3/08(2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种图案化有机半导体的制备方法及形变 拉伸测试方法 (57)摘要 本申请公开了一种图案化有机半导体的制 备方法及形变拉伸测试方法,通过制备图案化硅 柱以及镀铜膜的硅片;对所述图案化硅柱侧壁化 学修饰,使所述图案化硅柱达到侧壁疏水顶端亲 水状态;退浸润过程发生,毛细液桥自组织装使 图案化微纳阵列结构生长在铜膜上;利用化学反 应去除所述铜膜,将图案转移到柔性衬底上,获 得图案化有机半导体。利用毛细液桥制备的图案 化阵列高质