一种超声换能器阵列封装结构和制作方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114682468 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011593276.7 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人 北京万应科技有限公司 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 申请人 厦门云天半导体科技有限公司 (72)发明人 鲁瑶　于大全　万里兮　 (74)专利代理机构 北京信诺创成知识产权代理 有限公司 11728 专利代理师 陈悦军　张伟杰 (51)Int.Cl. B06B 1/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种超声换能器阵列封装结构和制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种超声换能器阵列封装结 构及其制作方法，超声换能器阵列封装结构包括 基体、金属化框架、以及位于金属化框架内的超 声换能器阵列，基体设置在金属化框架的上方； 金属化框架、超声换能器阵列、以及基体通过低 温键合技术形成互联；基体包括焊点、钝化层、以 及嵌入钝化层内的金属互连层，焊点在基体相对 于金属化框架方向的另一侧；金属化框架与超声 换能器阵列之间的空隙及表面，填充和覆盖有声 学匹配层。本发明利用了半导体工艺分别制作了 基体和金属化框架，并利用半导体封装工艺中的 低温键合技术对超声换能器阵列进行了封装，避 A 免了超声换能器阵列经受高温半导体制程和高 8 温键合过程而导致的失效问题。 6 4 2 8 6 4 1 1 N C CN