一种高密度硅基神经电极及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116605832 A (43)申请公布日 2023.08.18 (21)申请号 202310476108.7 (22)申请日 2023.04.28 (71)申请人 上海大学 地址 200444 上海市宝山区上大路99号 (72)发明人 古元冬　苟广洋　薛宁　 (74)专利代理机构 上海恒慧知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31317 专利代理师 张宁展 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) A61B 5/293 (2021.01) A61B 5/294 (2021.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种高密度硅基神经电极及其制备方法 (57)摘要 本发明提出了一种高密度的硅基神经电极， 包括多层互联的Al金属线，高密度的Au电极组成 的记录点及压焊点。本发明采用热蒸发、磁控溅 射、光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀、SiN应力补偿等工 艺对多层Al金属线进行图形化和隔离，采用 PECVD沉积SiN对电极进行应力补偿，深硅刻蚀对 探针部分进行减薄，通过多层金属互联可以获得 高密度电极阵列，后续与放大及处理信号电路结 合，可以实现神经元信号更高密集的采集。 A 2 3 8 5 0 6 6 1 1 N C CN 116605832 A 权　利　要　求　书 1/1页