一种提高MI-SiC-SiC预制体熔融渗硅均匀性的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116444286 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310044943.3 (22)申请日 2023.01.30 (71)申请人 合肥富维康新材料科技有限公司 地址 238000 安徽省合肥市巢湖经济开发 区龙泉路9号 (72)发明人 马付根　 (74)专利代理机构 深圳市兴科达知识产权代理 有限公司 44260 专利代理师 谢佳航 (51)Int.Cl. C04B 35/84 (2006.01) C04B 35/80 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/628 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种提高MI-SiC-SiC预制体熔融渗硅均匀 性的方法 (57)摘要 本发明公开了一种提高MI‑SiC‑SiC预制体 熔融渗硅均匀性的方法，目的是解决针对大尺寸 形状复杂的构件熔融硅无法均匀填充预制体的 技术问题，技术方案为：它包括制备SiC纤维预浸 带或者预浸布、层叠形成预制体、固化形成固化 预制体、在固化后的预制体上打孔并插入灯芯阵 列，热处理形成碳化预制体、熔融渗硅形成MI‑ SiC‑SiC复合材料。本发明灯芯阵列使液硅迅速 渗入预制体，显著提升渗硅速度和渗硅均匀性， 有效解决大尺寸以及形状复杂