1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 作业/运输
发明

一种提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺2025

2024-03-02 07:54:16 发布于四川 22
  • 申请专利号：CN202311410570.3
  • 公开（公告）日：2025-06-24
  • 公开（公告）号：CN117600036A
  • 申请人：浙江晶引电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺，涉及覆晶薄膜制备技术领域，包括S1、基板固定；S2、排列线路；S3、线路合并增宽；S4、基板翻转；S5、涂层增厚。该提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺，通过排线组件对线路端部进行夹持固定，将每三个线路构成一组并整齐排列基板顶部后进行封装，相较于传统的单一线路封装，成组封装线路使得线路得以增宽，从而提升了覆晶薄膜成品的提高抗挠折性,喷涂组件在未安装线路的一面形成均匀的保护膜，不仅起到了抗磨、保护基板的作用，更增加了基板整体厚度，进一步提升了覆晶薄膜成品的提高抗挠折性，另外，喷涂产生的废料可沿漏斗落入集料屉内，通过对废漆进行收集，以便其处理和回收。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117600036 A (43)申请公布日 2024.02.27 (21)申请号 202311410570.3 B05B 14/40 (2018.01) B05B 13/02 (2006.01) (22)申请日 2023.10.25 G09F 9/30 (2006.01) (71)申请人 浙江晶引电子科技有限公司 G09F 9/33 (2006.01) 地址 323000 浙江省丽水市莲都区南明山 街道绿谷大道309号国际车城15号楼 11层-496 (72)发明人 孙嫚徽　江祖平　王宏庆　 (74)专利代理机构 苏州言思嘉信专利代理事务 所(普通合伙) 32385 专利代理师 徐永雷 (51)Int.Cl. B05D 5/00 (2006.01) B05D 5/08 (2006.01) B05B 9/04 (2006.01) B05B 13/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺 (57)摘要 本发明公开了一种提高抗挠折性的覆晶薄 膜制备工艺，涉及覆晶薄膜制备技术领域，包括 S1、基

最新专利

相关专利