发明

一种纳米锥形阵列结构及其制备方法

2023-06-02 14:01:23 发布于四川 4
  • 申请专利号:CN202011482916.7
  • 公开(公告)日:2024-05-31
  • 公开(公告)号:CN112591707A
  • 申请人:南方科技大学
摘要:本发明涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)利用超快激光对基底进行加工,之后清洗得到中间基底;(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体刻蚀,得到所述纳米锥形阵列结构。本发明提供的方法,采用超快激光在表面制备微纳结构,在等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳结构区域的增强效果,即利用现有技术中缺陷制备了高深宽比的纳米锥阵列结构,该方法兼容性好、制备区域灵活可控,可极大提升纳米锥阵列结构的制备工艺精度。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112591707 A (43)申请公布日 2021.04.02 (21)申请号 202011482916.7 (22)申请日 2020.12.15 (71)申请人 南方科技大学 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽学 苑大道1088号 (72)发明人 徐少林 徐康 胡劲  (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 潘登 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 一种纳米锥形阵列结构及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种纳米锥形阵列结构及其制 备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)利用超 快激光对基底进行加工,之后清洗得到中间基 底;(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体 刻蚀,得到所述纳米锥形阵列结构。本发明提供 的方法,采用超快激光在表面制备微纳结构,在 等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳 结构区域的增强效果,即利用现有技术中缺陷制 备了高深宽比的纳米锥阵列结构,该方法兼容性 好、制备区域灵活可控,可极大提升纳米锥阵列 结构的制备工艺精度。 A 7 0 7 1 9 5 2 1 1 N C CN 112591707 A 权 利 要 求 书

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