一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模块

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113744779 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110922939.3 (22)申请日 2021.08.12 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 (72)发明人 邢国忠　刘龙　王迪　林淮　刘明　 (74)专利代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 房德权 (51)Int.Cl. G11C 11/409 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) G06N 3/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 一种磁阻存储器单元、写控制方法及存算模 块 (57)摘要 本发明公开了一种磁阻存储器单元、写控制 方法及存算模块，其中，磁阻存储器单元包括：第 一磁隧道结、第二磁隧道结和金属层；第一磁隧 道结和第二磁隧道结均设置在金属层上；金属层 被配置为用于通过写电流，第一磁隧道结的易轴 在金属层所在平面与写电流所在方向呈第一角 度，第二磁隧道结的易轴沿金属层所在平面与写 电流所在方向呈第二角度，第一角度和第二角度 相对于写电流所在方向的偏转方向相反；第一磁 隧道结和第二磁隧道结被配置为用于通过读电 流。本发明磁阻存储器单元可实现无外加磁场辅 A 助的全电控的超快磁化翻转，有利于大规模集 9 成，且在读取信息时可通过自参考机制实现读 7 7 4 取，提高读取