发明

一种基于应力光学效应的悬空调制器及其制备方法2025

2024-03-05 07:19:31 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311725655.0
  • 公开(公告)日:2025-04-15
  • 公开(公告)号:CN117631333A
  • 申请人:湖北九峰山实验室
摘要:本发明提供一种基于应力光学效应的悬空调制器及其制备方法,属于调制器技术领域。该悬空调制器包括SOI波导、覆盖于所述SOI波导上的覆盖层、沉积于所述覆盖层上表面的下电极、设置于所述下电极上表面的压电层、沉积于所述压电层上表面中部的上电极,覆盖于所述上电极上表面的保护层;所述SOI波导包括由下至上的硅衬底、埋藏氧化物层和波导层。所述硅衬底远离所述埋藏氧化物层的一面开设有至少一个空气槽。本发明通过压电材料的逆压电效应调控SOI波导及其表面覆盖层的材料的折射率变化,并结合悬空空气槽的结构,优化SOI波导内部应力分布,从而达到高效调控光的相位的效果。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117631333 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311725655.0 (22)申请日 2023.12.14 (71)申请人 湖北九峰山实验室 地址 430000 湖北省武汉市东湖开发区关 东科技工业园华光大道18号19层 (72)发明人 应豪 胡昌宇 王红莉 杨冰  (74)专利代理机构 武汉蓝宝石专利代理事务所 (特殊普通合伙) 42242 专利代理师 方菲 (51)Int.Cl. G02F 1/01 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图13页 (54)发明名称 一种基于应力光学效应的悬空调制器及其 制备方法 (57)摘要 本发明提供一种基于应力光学效应的悬空 调制器及其制备方法,属于调制器技术领域。该 悬空调制器包括SOI波导、覆盖于所述SOI波导上 的覆盖层、沉积于所述覆盖层上表面的下电极、 设置于所述下电极上表面的压电层、沉积于所述 压电层上表面中部的上电极,覆盖于所述上电极 上表面的保护层;所述SOI波导包括由下至上的 硅衬底、埋藏氧化物层和波导层。所述硅衬底远 离所述埋藏氧化物层的一面开设有至少一个空 气槽。本发明通过压电材料的逆压电效应调控 SOI波导及其表面覆盖层的材料的折射率变化, A 并结合悬空空气槽的结构,优化SOI波导内部应 3 力分布,从而达到高效调控光的相位的效果。 3 3 1 3 6 7 1 1 N C CN 1