半导体器件及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992243 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202010639919.0 (22)申请日 2020.07.06 (30)优先权数据 16/713,967 2019.12.13 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 张盟昇　杨耀仁　王奕　吴福安　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 代理人 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. G11C 17/16 (2006.01) G11C 17/18 (2006.01) H01L 27/112 (2006.01) H01L 21/8239 (2006.01) 权利要求书2页 说明书18页 附图15页 (54)发明名称 半导体器件及其形成方法 (57)摘要 一种结构包括反熔丝单元。反熔丝单元包括 第一有源区、第一栅极、第二栅极、至少一个第一 栅极通孔和至少一个第二栅极通孔。第一栅极和 第二栅极彼此分隔开。第一栅极和第二栅极延伸 为跨越第一有源区。至少一个第一栅极通孔耦合 至第一栅极并且设置在第一有源区正上方。至少 一个第二栅极通孔耦合至第二栅极。第一栅极通 过至少一个第一栅极通孔耦合至第一字线以用 于接收第一编程电压，并且第二栅极通过至少一 个第二栅极通孔耦合至第二字线以用于接收第 一读取电压。本发明的实施例还