一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及其制备与应用2025
- 申请专利号:CN202311005443.5
- 公开(公告)日:2025-02-28
- 公开(公告)号:CN117127259A
- 申请人:同济大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117127259 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311005443.5 (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人 同济大学 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号 (72)发明人 张弛 金聪聪 吴超 (74)专利代理机构 上海科盛知识产权代理有限 公司 31225 专利代理师 刘燕武 (51)Int.Cl. C30B 29/12 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) G02F 1/355 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及 其制备与应用 (57)摘要 本发明涉及一种二氯二氧化钼二阶非线性 光学晶体及其制备与应用,该晶体材料的化学式 为MoO Cl ,分子量为198.84,属于正交晶系,其 2 2 空间群为Fmm2,晶胞参数为 α =β =γ =90°,Z=4,晶胞体积为 与现有技术相比,本发 明的二氯二氧化钼晶体材料具有优良的二阶非 线性光学性能,在2100nm激光辐照下,粉末倍频 强度约为KTiOPO (KTP)的2.1倍,且能实现相位 4 匹配。 A 9 5 2 7 2 1 7 1 1 N C CN 117127259 A